Yazarlar (4) |
![]() Kırşehir Ahi Evran Üniversitesi, Türkiye |
![]() Kapadokya Üniversitesi, Türkiye |
![]() Erciyes Üniversitesi, Türkiye |
![]() Türkiye |
Özet |
The interface state density of Ni/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) were investigated by current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) measurements. The metallization patterns on GaN grown by metal organic chemical vapor deposition on a quartz substrate were formed using the photolithography and lift-off techniqu... |
Anahtar Kelimeler |
Bildiri Türü | Tebliğ/Bildiri |
Bildiri Alt Türü | Özet Metin Olarak Yayınlanan Tebliğ (Uluslararası Kongre/Sempozyum) |
Bildiri Niteliği | Alanında Hakemli Uluslararası Kongre/Sempozyum |
Bildiri Dili | İngilizce |
Kongre Adı | 3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciences |
Kongre Tarihi | 09-05-2018 / 12-05-2018 |
Basıldığı Ülke | Türkiye |
Basıldığı Şehir | Antalya |