img
img
Interface State Density Distribution in Ni/GaN SBDs   
Yazarlar (4)
Doç. Dr. Abdullah AKKAYA Doç. Dr. Abdullah AKKAYA
Kırşehir Ahi Evran Üniversitesi, Türkiye
Leyla Esmer
Kapadokya Üniversitesi, Türkiye
Osman Kahveci
Erciyes Üniversitesi, Türkiye
Enise Ayyıldız
Türkiye
Devamını Göster
Özet
The interface state density of Ni/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) were investigated by current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) measurements. The metallization patterns on GaN grown by metal organic chemical vapor deposition on a quartz substrate were formed using the photolithography and lift-off techniqu...
Anahtar Kelimeler
Bildiri Türü Tebliğ/Bildiri
Bildiri Alt Türü Özet Metin Olarak Yayınlanan Tebliğ (Uluslararası Kongre/Sempozyum)
Bildiri Niteliği Alanında Hakemli Uluslararası Kongre/Sempozyum
Bildiri Dili İngilizce
Kongre Adı 3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciences
Kongre Tarihi 09-05-2018 / 12-05-2018
Basıldığı Ülke Türkiye
Basıldığı Şehir Antalya
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Atıf Sayıları

Paylaş