| Yazarlar (4) |
Doç. Dr. Abdullah AKKAYA
Kırşehir Ahi Evran Üniversitesi, Türkiye |
Leyla Esmer
Kapadokya Üniversitesi, Türkiye |
|
Osman Kahveci
Erciyes Üniversitesi, Türkiye |
|
Enise Ayyıldız
Türkiye |
| Özet |
| The interface state density of Ni/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) were investigated by current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) measurements. The metallization patterns on GaN grown by metal organic chemical vapor deposition on a quartz substrate were formed using the photolithography and lift-off techniqu... |
| Anahtar Kelimeler |
| Bildiri Türü | Tebliğ/Bildiri |
| Bildiri Alt Türü | Özet Metin Olarak Yayınlanan Tebliğ (Uluslararası Kongre/Sempozyum) |
| Bildiri Niteliği | Alanında Hakemli Uluslararası Kongre/Sempozyum |
| Bildiri Dili | İngilizce |
| Kongre Adı | 3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciences |
| Kongre Tarihi | 09-05-2018 / 12-05-2018 |
| Basıldığı Ülke | Türkiye |
| Basıldığı Şehir | Antalya |
