Electrical characterization of heterojunction between polyaniline titanium dioxide tetradecyltrimethylammonium bromide and n-silicon
Yazarlar (5)
H. Cetin
Bozok Üniversitesi, Türkiye
Bozok Üniversitesi, Türkiye
B. Boyarbay
Erciyes Üniversitesi, Türkiye
Erciyes Üniversitesi, Türkiye
Doç. Dr. Abdullah AKKAYA Erciyes Üniversitesi, Türkiye
A. Uygun
Süleyman Demirel Üniversitesi, Türkiye
Süleyman Demirel Üniversitesi, Türkiye
E. Ayyildiz
Erciyes Üniversitesi, Türkiye
Erciyes Üniversitesi, Türkiye
| Makale Türü | Özgün Makale (SSCI, AHCI, SCI, SCI-Exp dergilerinde yayınlanan tam makale) | ||
| Dergi Adı | Synthetic Metals | ||
| Dergi ISSN | 0379-6779 Wos Dergi Scopus Dergi | ||
| Dergi Tarandığı Indeksler | SCI | ||
| Makale Dili | İngilizce | Basım Tarihi | 11-2011 |
| Cilt / Sayı / Sayfa | 161 / 21 / 2384–2389 | DOI | 10.1016/j.synthmet.2011.09.005 |
| Makale Linki | https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S0379677911003924 | ||
| Özet |
| The organic/inorganic semiconductor heterojunction has been fabricated by thin film formed on n-Si semiconductor substrate using spin coating technique from the solution of polyaniline (PANI) titanium dioxide (TiO2) composite chemically synthesized in the presence of the cationic surfactant, tetradecyltrimethylammonium bromide (TTAB). The thickness... |
| Anahtar Kelimeler |
| Conducting polymers | Thermionic emission | Schottky barrier diodes | Heterojunctions | I-V characteristics |
Science Direct
Electrical characterization of heterojunction between polyaniline titanium dioxide tetradecyltrimethylammonium bromide and n-silicon
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
| Atıf Sayıları | |
| WoS | 12 |
| SCOPUS | 15 |
| Google Scholar | 17 |