img
img
Poly 3 Hexylthıophene Based Field Effect Transıstors With Gate SiO2 Dielectric    
Yazarlar (1)
Prof. Dr. Osman ÖRNEK Prof. Dr. Osman ÖRNEK
Kırşehir Ahi Evran Üniversitesi, Türkiye
Devamını Göster
Özet
In this study we have used SiO2, which is actually a useful material as a inorganic dielectric layer for Organic Thin Film Transistor (OTFT) production, and then we have coated the Poly(3-Hexilthiophene) P3HT organic semiconductor (OSC). We coated the gate, source and drain contacts with Ag using thermal evaporation method. Our study has shown that...
Anahtar Kelimeler
Makale Türü Özgün Makale
Makale Alt Türü Diğer hakemli ulusal dergilerde yayınlanan tam makale
Dergi Adı Sakarya Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Dergisi
Dergi ISSN 1301-3769
Makale Dili Türkçe
Basım Tarihi 12-2011
Cilt No 13
Sayı 2
Sayfalar 1 / 7
Makale Linki http://www.fed.sakarya.edu.tr/yayinlanmis_sayilar_2011_2.htm
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Atıf Sayıları

Paylaş