| Tez Türü | Yüksek Lisans |
| Ülke | Türkiye |
| Kurum/Üniversite | Ahi Evran Üniversitesi |
| Enstitü | Fen Bilimleri Enstitüsü |
| Anabilimdalı | Fizik Ana Bilim Dalı |
| Tez Onay Yılı | 2011 |
| Öğrenci Adı ve Soyadı | Bekir YURDUGÜZEL |
| Tez Danışmanı | YRD. DOÇ. DR. ABDULLAH YILDIZ |
| Türkçe Özet | Spin-coating metodu ile hazırlanan %15 ve %25 Co katkı oranlarına sahip ZnO polikristal ince filmlerin, sıcaklığa bağlı elektriksel iletkenlik davranışı araştırıldı. Co konsantrasyonunun %15' ten %25' e değişmesi ile iletkenliğin değiştiği bulundu. Artan Co konsantrasyonu ile gözlemlenen iletkenlik artışı, grain sınırı iletkenlik modeli ile açıklandı. İncelenen filmlerin sıcaklığa bağlı iletkenliği bu modelde tutarlı formüllerle analiz edildi. %25 Co katkılı ZnO için artan sıcaklık ile, kristallerin kısmi olarak tüketildiği bir bölgeden, kristallerin tamamen tüketildiği bir bölgeye 375 K civarında bir geçiş gözlendi. İncelenen filmler için bazı önemli elektriksel parametreler belirlendi. XRD ve XPS çalışmaları, ZnO örgüye Co' nun Co2+ olarak girdiğini kanıtladı. Artan Co katkısı ile örgü parametresinin (c) ve grain boyutunun arttığı belirlendi. Ayrıca optik absorbsiyon ölçümlerinden filmlerin yasak enerji aralıkları belirlendi. Artan Co katkı konsantrasyonu ile yasak enerji aralığının azaldığı bulundu. |
| İlgilizce Özet | The temperature dependent conductivity behavior of 15% Co and 25% Co-doped ZnO nanocrystalline thin films prepared by spin-coating method was examined. It was found that the conductivity shows a change when the Co concentration varies from 15% to 25%. The observed increase of conductivity with increasing Co concentration was interpreted through the grain boundary conduction model. The temperature dependent of conductivity of the films was analyzed in term of formulas in consistence with grain boundary conduction model. With rising temperature for 25% Co doped ZnO, a transition from the region in which crystallites are only partially depleted to the region in which the crystallites are entirely depleted was observed around 375 K. Some important electrical parameters were determined for the films. XRD and XPS studies evidenced that Co entered in ZnO lattice as Co2+. Co doping determined an increase in lattice parameter and grain size. The optical band gaps of the films have been determined by evaluating the fundamental absorption coefficient from transmittance spectra. It was found that the band gap energy of films decreases with increasing Co concentration. |
